Hukum Moore kerap diprediksi akan menemui tembok fisika, namun inovasi rekayasa semikonduktor kembali membuktikan daya adaptasinya. Hadirnya sistem litografi Extreme Ultraviolet berkemampuan bukaan numerik tinggi (High-NA EUV 0.55 NA) secara resmi membuka jalan produksi massal pada simpul fabrikasi 2 nanometer.
Arsitektur Nanosheet GAA dan Penekanan Efek Terowongan Kuantum
Pada skala di bawah 3 nanometer, struktur transistor FinFET konvensional tidak lagi mampu menahan kebocoran arus akibat efek terowongan kuantum (quantum tunneling). Solusi yang diadopsi oleh pabrikan terkemuka adalah transisi total menuju Gate-All-Around (GAA) nanosheet.
Dalam desain GAA, gerbang elektroda membungkus saluran konduksi horizontal secara penuh di keempat sisinya. Konfigurasi ini memberikan kontrol elektrostatik maksimal atas pergerakan elektron, memungkinkan tegangan operasional yang lebih rendah tanpa mengorbankan kecepatan pensaklaran transistor.
Inovasi Backside Power Delivery Network (BSPDN)
Hambatan terbesar dalam desain prosesor modern bukan lagi sekadar dimensi transistor, melainkan kerumitan interkoneksi logam penghantar daya dan sinyal data. Lapisan interkoneksi yang padat menimbulkan resistansi tinggi dan degradasi tegangan internal (IR drop).
Melalui implementasi Backside Power Delivery Network (BSPDN), jalur suplai daya dipindahkan seluruhnya ke bagian belakang wafer silikon, sementara bagian muka dikhususkan untuk routing transmisi data. Arsitektur ini meningkatkan kerapatan logika hingga 20% dan memberikan efisiensi daya bersih lebih dari 15% pada akselerator komputasi generasi baru.
